2016-2022年中國IGBT功率模塊市場分析與投資前景研究報告

報告說明:
    博思數據發布的《2016-2022年中國IGBT功率模塊市場分析與投資前景研究報告》共十五章。報告介紹了IGBT功率模塊行業相關概述、中國IGBT功率模塊產業運行環境、分析了中國IGBT功率模塊行業的現狀、中國IGBT功率模塊行業競爭格局、對中國IGBT功率模塊行業做了重點企業經營狀況分析及中國IGBT功率模塊產業發展前景與投資預測。您若想對IGBT功率模塊產業有個系統的了解或者想投資IGBT功率模塊行業，本報告是您不可或缺的重要工具。
    IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度 快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電 機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

本研究報告數據主要采用國家統計數據，海關總署，問卷調查數據，商務部采集數據等數據庫。其中宏觀經濟數據主要來自國家統計局，部分行業統計數據主要來自 國家統計局及市場調研數據，企業數據主要來自于國統計局規模企業統計數據庫及證券交易所等，價格數據主要來自于各類市場監測數據庫。