我國IGBT市場規模情況及產量統計分析

    IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

    構成本土 IGBT 市場需求主體主要為智能電網、高鐵建設、電機節能與家電節能這四大領域。中國在智能電網與高鐵建設領域擁有國際領先技術，這些領域對 IGBT國產化需求迫切，而這種國產化突破更包含了 IGBT 技術的突破（該領域 IGBT 技術壁壘最高）。家電節能以空調、冰箱與洗衣機為主，這些領域中國家電企業已經具備一定的國際競爭力，更為 IGBT 國產化掃清了認知障礙。因此，龐大的市場基礎與需求方對 IGBT 技術國產化的迫切需求共同推動中國本土企業的技術創新，加速我國 IGBT 國產化進程：

    博思數據發布的《2017-2022年中國IGBT功率模塊市場深度調研與投資前景研究報告》，我國IGBT行業發展至今，已取得較大進展，雖然仍需大量進口，但已有一部分企業具備規�；�生產能力。2010年我國IGBT功率電器模塊產量為190萬只，2015年增長至498萬只。

2010-2015年我國IGBT功率電器產量（萬只）

資料來源：資料整理

    我國IGBT技術取得一定突破，應用需求巨大。IGBT芯片技術方面，中國南車建成全球第二條、國內首條8英寸IGBT芯片專業生產線，具備年產12萬片芯片、并配套形成年產100萬只IGBT模塊的自動化封裝測試能力，芯片與模塊電壓范圍實現從650V到6500V的全覆蓋。去年成功實現首批8英寸1700V IGBT芯片下線，8英寸3300V芯片已完成試制與測試，6500V芯片也已研發出合格樣品。IGBT模塊技術方面，封裝IGBT模塊所用芯片大多由英飛凌、ABB等國外公司提供，只有極少量的芯片由國內生產，國產IGBT芯片年產值不到1億元。但我國卻是全球最大的功率半導體消費市場，占全球市場的40%以上，未來一段時期仍將保持15%以上的速度增長，市場潛力巨大。其中，我國IGBT消費市場目前約80億元的規模（全球市場約300億元），到2020年可能達到300億元的規模。

    在新能源、節能環保“十二五”規劃等一系列國家政策措施的支持下，國內IGBT的發展獲得巨大的推動力，市場持續快速增長。2015年，國內IGBT市場規模達94.8億元。近幾年我國IGBT市場規模情況如下圖所示：

2008-2015年我國IGBT市場規模情況
 

資料來源：資料整理

    IGBT一方面擁有新技術帶來的廣闊的市場空間，另一方面從技術發展路線來看又對以往的功率器件有一個逐步替代的作用。目前我國IGBT市場占整個功率器件市場份額尚不足10%，預計未來幾年IGBT市場隨著節能減排的推進將得到快速發展。未來IGBT模塊在以下幾個領域將會有較大的突破。