博思數據發布的《2014-2019年中國大功率半導體器件市場監測及投資前景研究報告》共十一章,報告對我國大功率半導體器件的市場環境、生產經營、產品市場、品牌競 爭、產品進出口、行業投資環境以及可持續發展等問題進行了詳實系統地分析和預測。并在此基礎上,對行業發展趨勢做出了定性與定量相結合的分析預測。為企業 制定發展戰略、進行投資決策和企業經營管理提供權威、充分、可靠的決策依據。
半導體器件對比(大功率) | 應用場合 | 產品特點 | ||||
適用電壓范圍 | 適用功率范圍 | 適用頻率范圍 | 可靠性、抗沖擊能力 | 應用難易程度 | 成本 | |
晶閘管 | 400V-8500V | 100KW 以上 | 10KHZ 以下 | 好 | 簡單,易掌握 | 低 |
晶閘管及整流模塊 | 400V-4000V | 7.5-350KW | 1KHZ 以下 | 好 | 簡單,易掌握 | 低 |
IGBT MOSFET | 100V-1700V | 1.5-200KW | 10KHZ 以上 | 較差 | 復雜,難掌握 | 高 |
目前隨著國內大規模的電網改造、鐵路建設、高速電力機車的普及,以及國家工業、軍事以及基礎工程的大量投入,為中國的電力電子事業創造更好的機遇,我國大功率半導體器件行業市場規模近年來增長態勢明顯, 2012年我國大功率半導體器件行業市場規模達到120.4億元,2013年行業市場規模增長至145.2億元,行業規模年增速與上年度基本持平,中國依舊是推動全球大功率半導體器件市場規模增長的主要動力。
資料來源:博思數據研究中心整理
第一章 2012-2013年大功率半導體器件產業基礎 1
第一節 大功率半導體器件定義分類 1
一、功率半導體器件 1
二、大功率半導體器件定義 3
三、大功率半導體器件分類 4
第二節 大功率半導體器件市場特征 4
一、大功率半導體市場總體特點 4
二、大功率半導體市場供給分析 5
三、行業利潤水平及變動趨勢 6
四、周期性、區域性或季節性 7
五、行業技術水平及技術特點 7
六、大功率半導體器件發展趨勢 8
第三節 大功率半導體器件上下游 9
一、行業上下游關聯性 9
二、上下游對行業影響 9
第二章 2012-2013年中國大功率半導體器件行業市場發展環境分析 12
第一節 國內宏觀經濟環境分析 12
一、GDP歷史變動軌跡分析 12
二、固定資產投資歷史變動軌跡分析 13
三、2014年中國宏觀經濟發展預測分析 16
第二節 2012-2013年中國大功率半導體器件行業政策環境分析 17
一、行業主管部門 17
二、行業監管體制 17
三、行業法規及政策 18
第三節 2012-2013年中國大功率半導體器件行業社會環境分析 22
一、人口環境分析 22
二、教育環境分析 23
三、文化環境分析 25
四、生態環境分析 27
五、中國城鎮化率 28
六、居民的各種消費觀念和習慣 29
第三章 2012-2013年中國半導體分立器件產業運行形勢分析 36
第一節 2012-2013年中國半導體分立器件產業發展綜述 36
一、客戶對分立功率器件的要求日益提高 36
二、應對挑戰的新產品 37
三、我國分立器件保持穩定增長態勢 38
第二節 功率半導體器件主要工藝生產技術分析 39
一、外延工藝技術 39
二、光刻工藝技術 40
三、刻蝕工藝技術 41
四、離子注入工藝技術 41
五、擴散工藝技術 42
第三節 2012-2013年中國半導體分立器件產業發展存在問題分析 45
第四章 2012-2013年中國大功率半導體器件市場動態分析 46
第一節 2012-2013年中國大功率半導體器件市場分析 46
一、全球大功率半導體器件市場容量 46
二、世界主要國家大功率半導體器件市場分析 49
1、美國
美國是電力電子器件的發源地,在全球電力電子器件市場中占有重要的位置。但近年來,電力電子器件生產逐步轉移到歐洲及發展中國家,市場規模增長有限。美國著名的大功率半導體器件廠商有IR等。
2、日本
從上世紀90 年代開始,日本一直是全球的電力電子器件的最大市場,占全球市場的30%以上。2000 年以后,亞洲成為電力電子器件最大的消費地區后,日本市場所占比率逐步下降。目前日本電力電子器件廠商主要有Toshiba、Fuji Electric、SanRex、Mitsubishi。
3、歐洲
是全球電力電子器件研發生產和市場發達的地區,擁有全球著名的ABB、INFINEON、DYNEX、Semikron等。
4、中國
近年來隨著中國經濟的持續發展以及國家在電力、交通及基礎設施的大規模投入,電力電子器件市場發展迅速,在全球市場中所占的份額越來越大。已成為全球最大的大功率電力電子器件需求市場。
國家或地區 | 2007年 | 2008年 | 2009年 | 2010年 | 2011年 | 2012年 | 2013年 |
美國 | 12.8 | 13.5 | 14.4 | 15.5 | 16.8 | 18.1 | 20.2 |
日本 | 16.8 | 17.5 | 18.9 | 20.2 | 21.7 | 23.5 | 24.8 |
歐洲 | 23.2 | 25.0 | 27.5 | 30.8 | 34.5 | 38.2 | 43.0 |
中國 | 42.6 | 51.4 | 64.4 | 80.5 | 100.2 | 120.4 | 145.2 |
其他 | 20.4 | 23.7 | 26.4 | 26.4 | 26.9 | 30.1 | 30.3 |
合計 | 115.7 | 131.1 | 151.6 | 173.4 | 200.0 | 230.3 | 263.5 |
資料來源:iSuppli
第二節 2012-2013年中國大功率半導體器件市場動態分析 50
一、國內大功率半導體器件市場容量 50
分立功率器件按照功率的大小劃分為大功率半導體器件和中小功率半導體器件。具體來說,大功率晶閘管專指承受電流值在200A 以上的晶閘管產品;大功率模塊則指承受電流25A 以上的模塊產品;大功率IGBT、MOSFET 指電流超過50A 以上的IGBT、MOSFET 產品。
1956年美國貝爾實驗室(Bell Lab)發明了晶閘管,國際上,70 年代各種類型的晶閘管有了很大發展,80 年代開始加快發展大功率模塊,同時各種大功率半導體器件在歐美日有很大的發展,90 年代IGBT 等全控型器件研制成功并開始得到應用。
在國內,60 年代晶閘管研究開始起步,70 年代研制出大功率的晶閘管,80年代以來,大功率晶閘管在中國得到很大發展,同時開始研制模塊;本世紀以來,開始少量引進超大功率晶閘管(含光控晶閘管)技術;近年來國家正在逐步引進IGBT、MOSFET 技術。中國宏觀經濟的不斷成長,帶動了大功率半導體器件技術的發展和應用的不斷深入。
晶閘管、模塊、IGBT 的發明和發展順應了電力電子技術發展的不同需要,是功率半導體發展歷程中不同時段的重要標志產品,他們的應用領域、應用場合大部分不相同,小部分有交叉。
在技術不斷發展和工藝逐步改善的雙重推動下,大功率半導體器件將向著高電壓、大電流、高頻化、模塊化、智能化的方向發展。在10Khz 以下、大功率、高電壓的場合,大功率晶閘管和模塊具有很強的抗沖擊能力及高可靠性而占據優勢,同時又因成本較低、應用簡單而易于普及。
在10Khz 以上、中低功率場合,IGBT、MOSFET 以其全控性、適用頻率高而占據優勢。
半導體器件對比(大功率) | 應用場合 | 產品特點 | ||||
適用電壓范圍 | 適用功率范圍 | 適用頻率范圍 | 可靠性、抗沖擊能力 | 應用難易程度 | 成本 | |
晶閘管 | 400V-8500V | 100KW 以上 | 10KHZ 以下 | 好 | 簡單,易掌握 | 低 |
晶閘管及整流模塊 | 400V-4000V | 7.5-350KW | 1KHZ 以下 | 好 | 簡單,易掌握 | 低 |
IGBT MOSFET | 100V-1700V | 1.5-200KW | 10KHZ 以上 | 較差 | 復雜,難掌握 | 高 |
二、大功率半導體器件下游消費結構 52
三、大功率半導體器件重點企業動態分析 54
第三節 2012-2013年中國大功率半導體器件發展存在問題分析 56
第五章 2012-2013年中國大功率半導體器件市場需求分析 57
第一節 電力領域大功率半導體器件需求 57
一、電力投資分析 57
二、行業需求規模 62
第二節 電機驅動領域大功率半導體器件需求 63
第三節 鋼鐵及金屬冶煉行業需求分析 65
第四節 軌道交通行業需求分析 66
第五節 大功率電源行業的需求分析 68
第六節 電焊機行業需求分析 69
第七節 其他領域市場分析 71
一、勵磁電源領域市場分析 71
二、無功補償裝置領域市場分析 71
第六章 2007-2013年中國其他半導體器件進出口數據監測分析 73
第一節 2007-2013年中國其他半導體器件進口數據分析 73
一、進口數量分析(85415000) 73
年份 | 進口數量(個) |
2007年 | 10,141,337,785 |
2008年 | 7,992,981,540 |
2009年 | 7,784,819,663 |
2010年 | 7,357,862,135 |
2011年 | 6,811,348,590 |
2012年 | 20,404,419,886 |
2013年 | 25,125,763,858 |
第二節 2007-2013年中國其他半導體器件出口數據分析 74
一、出口數量分析 74
年份 | 出口數量(個) |
2007年 | 9,766,613,439 |
2008年 | 10,426,264,409 |
2009年 | 8,900,101,908 |
2010年 | 8,617,811,244 |
2011年 | 7,369,754,154 |
2012年 | 9,586,175,972 |
2013年 | 6,880,484,034 |
第三節 2007-2013年中國其他半導體器件進出口平均單價分析 75
第四節 2007-2013年中國其他半導體器件進出口國家及地區分析 75
一、進口國家及地區分析 75
二、出口國家及地區分析 80
第七章 2008-2013年中國半導體分立器件制造行業數據監測分析 89
第一節 2008-2013年中國半導體分立器件制造行業規模分析 89
一、企業數量增長分析 89
二、從業人數增長分析 89
三、資產規模增長分析 90
第二節 2012年中國半導體分立器件制造行業結構分析 90
一、企業數量結構分析 90
1、不同類型分析 90
2、不同所有制分析 91
二、銷售收入結構分析 91
1、不同類型分析 91
2、不同所有制分析 91
第三節2008-2013年中國半導體分立器件制造行業產值分析 92
一、產成品增長分析 92
二、工業銷售產值分析 93
三、出口交貨值分析 93
第四節2008-2013年中國半導體分立器件制造行業成本費用分析 94
一、銷售成本統計 94
二、費用統計 94
第五節2008-2013年中國半導體分立器件制造行業盈利能力分析 95
一、主要盈利指標分析 95
二、主要盈利能力指標分析 95
第八章 2012-2013年中國大功率半導體器件市場競爭格局分析 96
第一節 2012-2013年大功率半導體器件行業競爭格局 96
一、國內企業在國內市場競爭格局 96
二、國外企業在中國競爭情況 97
第二節 功率半導體器件行業企業及其市場份額 97
一、國內企業銷售額占比 97
二、市場占有率水平 98
第三節 大功率半導體器件行業進入壁壘分析 98
一、市場壁壘 98
二、技術壁壘 98
第九章 2012-2013年中國大功率半導體器件企業競爭力分析 100
第一節 株洲南車時代電氣股份有限公司(03898) 100
一、企業概況 100
二、企業主要經濟指標分析 100
三、企業盈利能力分析 101
四、企業償債能力分析 102
五、企業運營能力分析 103
六、企業成長能力分析 104
第二節 湖北臺基半導體股份有限公司 (300046) 104
一、企業概況 104
二、企業主要經濟指標分析 106
三、企業盈利能力分析 106
四、企業償債能力分析 107
五、企業運營能力分析 108
六、企業成長能力分析 109
第三節 西安永電電氣有限責任公司 109
一、企業概況 109
二、企業主要經濟指標分析 110
三、企業盈利能力分析 111
四、企業償債能力分析 111
五、企業運營能力分析 112
六、企業成長能力分析 112
第四節 江蘇矽萊克電子科技有限公司 112
一、企業概況 112
二、企業主要經濟指標分析 114
三、企業盈利能力分析 114
四、企業償債能力分析 115
五、企業運營能力分析 115
六、企業成長能力分析 115
第五節 濟南半導體元件實驗所 116
一、企業概況 116
二、企業主要經濟指標分析 116
三、企業盈利能力分析 117
四、企業償債能力分析 117
五、企業運營能力分析 118
六、企業成長能力分析 118
第六節 西安電力電子技術研究所 118
第七節 大功率半導體器件外資企業 119
一、德國賽米控公司(SEMIKRON) 119
二、ABB 公司 120
三、IXYS 公司 123
四、英飛凌科技公司 124
第十章 2014-2019年中國大功率半導體器件發展前景預測分析 125
第一節 2014-2019年中國半導體分立器件產業趨勢預測分析 125
一、分立器件三大發展趨勢 125
二、半導體分立器件技術方向分析 126
三、半導體分立器件進出口預測分析 127
第二節 2014-2019年中國大功率半導體器件發展前景分析 128
一、大功率半導體器件市場供需預測分析 128
二、大功率半導體器件進出口預測分析 129
三、大功率半導體器件競爭格局預測分析 130
第三節 2014-2019年中國大功率半導體器件盈利預測分析 132
第十一章 2014-2019年中國大功率半導體器件產業投資機會與風險分析 133
第一節 2014-2019年中國大功率半導體器件產業投資環境分析 133
第二節 2014-2019年中國大功率半導體器件產業投資機會分析 135
一、中國大功率半導體器件市場發展潛力巨大 135
二、大功率半導體器件投資熱點分析 137
第三節 2014-2019年中國大功率半導體器件產業投資風險分析 138
一、市場競爭風險分析 138
二、進入退出風險分析 138
三、技術風險分析 139
第四節 博思數據專家建議 140
本研究咨詢報告由博思數據研究中心領銜撰寫,在大量周密的市場調研基礎上,主要依據了國家統計局、國家商務部、國家海關總署、國家發改委、國務院發展研究中心、中國人民銀行、中國上市公司資訊、博思數據網、國內外相關刊物的基礎信息以及大功率半導體器件專業研究單位等公布和提供的大量資料,結合深入的市場調查資料,立足于當前世界后金融危機整體發展局勢,對我國大功率半導體器件行業的生產發展狀況、市場情況、消費變化、重點企業以及市場發展機會進 行了詳細的分析,并對大功率半導體器件行業市場品牌及市場銷售渠道等著重進行了調查和研究。
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