報告說明:
博思數據發布的《2015-2020年中國半導體功率器件市場分析與行業調查報告》共七章。介紹了半導體功率器件行業相關概述、中國半導體功率器件產業運行環境、分析了中國半導體功率器件行業的現狀、中國半導體功率器件行業競爭格局、對中國半導體功率器件行業做了重點企業經營狀況分析及中國半導體功率器件產業發展前景與投資預測。您若想對半導體功率器件產業有個系統的了解或者想投資半導體功率器件行業,本報告是您不可或缺的重要工具。
在經歷了2010年半導體功率器件市場的快速上漲以后,隨著全球經濟增長的不確定性以及日本311大地震的影響,2014年半導體功率器件市場增長趨緩,全球市場增速在4%左右,而中國市場的增速在10%左右。分領域來看,汽車電子領域依然是增速最快的領域,而筆記本、手機等產品產量的大幅增長則帶動了計算機領域、網絡通信等領域功率器件市場的發展。從競爭格局上看,歐美廠商依舊占據中國功率器件市場競爭優勢地位,MOSFET而言,飛兆、威世、英飛凌、IR仍處于領先地位,此外,中國臺灣企業和韓國企業也占有一定的市場份額。未來幾年,中國功率器件市場將保持在平穩增長,市場增速將保持在10%左右。
為了全面而準確的反映中國功率器件市場地發展現狀以及未來趨勢,博思數據發布的《2015-2020年中國半導體功率器件市場分析與行業調查報告》,將幫助業界廠商、投資者和相關政府機構更準確地把握中國功率器件市場的發展規律。
深入、翔實的市場研究數據;趯π袠I產品的深度研究,提供對產品結構、應用結構等多個角度的市場數據,明晰市場發展方向。
全面、深刻的品牌競爭分析。公司從市場格局、競爭策略、SWOT分析等多個維度分析企業,評點市場領先要素。
科學、完整的未來發展預測。建立在各重點細分市場上的建模校驗,并與相關產業環節進行關聯分析,確保給出有價值的趨勢分析與定量預測結果。
本報告全面總結了2014年中國半導體功率器件市場的發展狀況,全面分析了其推進因素和市場特點,并對主要廠商進行了客觀綜合的評價,通過大量的調研訪談和詳實準確的數據支撐,為客戶提供完整的中國功率器件市場信息,為企業提供有效的決策參考,報告主要為客戶提供了以下方面的內容。
目錄
一、2014年全球半導體功率器件市場概述
(一) 市場規模與增長
(二) 基本特點
(三) 主要國家與地區
1、美國
2、歐洲
3、日本
二、2014年中國半導體功率器件市場概述
(一) 市場規模與增長
(二) 基本特點
(三) 市場結構分析
1、產品結構
2、應用結構
三、2013-2014年中國半導體功率器件市場發展預測
(一) 2013-2014年中國半導體功率器件市場規模預測
(二) 2013-2014年中國半導體功率器件市場結構預測
1、產品結構
2、應用結構
四、2013-2014年中國半導體功率器件市場趨勢分析
(一) 市場發展趨勢
(二) 產品技術趨勢
(三) 產品價格趨勢
五、2014年中國半導體功率器件市場細分產品研究
(一) MOSFET
(二) IGBT
(三) 電源管理IC
六、中國半導體功率器件市場競爭力分析
(一) 整體競爭格局
(二) 重點廠商競爭策略與SWOT分析
1、Fairchild
2、ST
3、Vishay
4、……
七、博思數據投資建議
圖表目錄
2007-2014年中國半導體功率器件市場規模
2014年中國半導體功率器件市場結構
2014年中國半導體功率器件市場應用結構
2014年中國MOSFET市場規模
2014年中國MOSFET市場應用結構
2014年中國MOSFET市場電壓結構
2007-2014年全球半導體功率器件市場規模
2014年中國半導體功率器件市場品牌結構
2014年中國MOSFET市場品牌結構
2014年中國IGBT市場品牌結構
本研究報告數據主要采用國家統計數據,海關總署,問卷調查數據,商務部采集數據等數據庫。其中宏觀經濟數據主要來自國家統計局,部分行業統計數據主要來自 國家統計局及市場調研數據,企業數據主要來自于國統計局規模企業統計數據庫及證券交易所等,價格數據主要來自于各類市場監測數據庫。
本報告由博思數據獨家編制并發行,報告版權歸博思數據所有。本報告是博思數據專家、分析師在多年的行業研究經驗基礎上通過調研、統計、分析整理而得,具有獨立自主知識產權,報告僅為有償提供給購買報告的客戶使用。未經授權,任何網站或媒體不得轉載或引用本報告內容。如需訂閱研究報告,請直接撥打博思數據免費客服熱線(400 700 3630)聯系。